技术编号：15495236
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及沟槽型MOS器件制备领域，特别是涉及一种小尺寸的沟槽型MOS器件的制备方法和电子装置。背景技术沟槽型MOS器件在功率半导体器件领域，沟槽型金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)相比于平面型MOSFET，能够明显提高沟道密度，降低特征导通电阻，因此，沟槽型MOSFET已经被广泛采用。对MOSFET来说，多晶硅栅极的凹槽和一致性是非常重要的。但对于常规的沟槽工艺来说，一致性非常难控制。...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。