技术编号：15495246
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及射频开关技术领域，尤其涉及一种射频开关电路结构及一种坏栅检测方法。背景技术应用于智能手机的射频开关在前端模组设计中扮演着越来越重要的角色。制造尺寸小于几平方毫米的常规射频开关时，由于GaAs材料具有较高的电子迁移率、饱和漂移速度以及较宽的禁带宽度等优点，其逐渐在高频、高速、高温等应用领域中占据重要地位。由于量子阱结构的存在，异质结的HEMT、pHEMT器件在获得高电子浓度的同时，会拥有比同质结的MESFET更高的电子迁移率、漂移速度和高频特性。这是因为在由禁带宽度不同的两种半导体构成的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。