技术编号:15496028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体激光器热沉的制备方法。背景技术氮化铝陶瓷基片具有优良的热传导性,可靠的电绝缘性,低的介电常数和介电损耗,热膨胀系数与硅半导体元件相匹配,高电阻率,良好的机械性能和耐腐蚀性能等优点,从而成为新一代大规模集成电路,半导体模块电路及大功率光电器件的理想散热和封装材料。在半导体高功率激光器制造工艺中,考虑到由于芯片在工作中会产生大量的热,其结构通常需要有一个良好的散热通道。目前在大功率光电器件的各种关键技术中,散热问题的解决是一个极其关键的技术。发明内容本发明...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。