技术编号:15498847
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功能材料领域,具体涉及一种g-C3N4-Ag-(010)晶面BiVO4Z型结构光催化剂及其制备方法。背景技术BiVO4作为一种新型半导体材料,其带隙窄(2.4eV左右),有优秀的可见光响应,导带和价带位置(对比标准氢电极)适宜,是同时具有光解水产氧、还原、降解污染物能力的一种有效半导体光催化剂。然而BiVO4催化剂存在比表面积小、光量子利用率低、电子和空穴复合几率高、吸附性能差、光生载流子难以迁移等问题,研究者提出可通过两方面提高BiVO4的光催化性能,一是提高BiVO4本身的活性,如...
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