技术编号:15504382
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料领域,涉及一种基于常压化学气相沉积的大面积单层二硫化钨薄膜的制备方法;还涉及由该方法制得的产品。背景技术二硫化钨是一种新型二维材料,它具有优异的光学、电学、力学和热学性能,在电子器件、光电器件、传感器等领域具有巨大的应用前景。目前,以WO3和S固态粉末为反应前驱体、SiO2/Si为衬底、氩气为载气的化学气相沉积法是制备二硫化钨薄膜的主流方法。通过改变衬底(金、蓝宝石、BN)和载气(氢气)类型、控制生长压力(低压)、播晶种等方式,目前已能生长出不同尺寸和层数的二硫化钨薄膜,但现有方法...
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