技术编号：15504629
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于异质结薄膜制备技术领域，具体涉及一种低成本制备ZnO&TiO2异质结薄膜的方法。背景技术近年来，环境污染问题日益严重，能源创新迫在眉睫。在这种形势下，纳米结构的半导体具有广阔的发展空间和需求。纳米金属氧化物具有优异的光学和电学性能，在清洁、可循环利用的能源中已有广泛应用。其中，ZnO作为一种重要的n型宽带隙半导体材料，在室温和高温下可实现激子复合发光，是一种理想的光伏器件材料；而TiO2作为一种宽禁带半导体，具有优异的物理化学稳定性，有序TiO2阵列作为光电电极时，会产生直接的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。