技术编号：15509835
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及多晶硅生产领域，尤其涉及一种气相可控型多晶硅还原炉。背景技术目前国内外多晶硅生产企业主要采用“改良西门子法”，其生产流程是利用氯气和氢气合成氯化氢(或外购氯化氢)，氯化氢和硅粉在一定温度下合成三氯氢硅，然后提纯三氯氢硅后与氢气按一定比例混合后，在一定的温度压力下从气相沉积反应器的底盘上的进气口进入炉体内，在通电的高温硅棒上沉积生成多晶硅，反应尾气经底盘上的出气口排出。多晶硅气相沉积反应器是改良西门子法多晶硅生长的关键反应器，反应器的设计直接影响多晶硅的产量、质量和生产成本，也是整个生产...
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