技术编号:15519977
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本文所述实现方式整体涉及等离子体半导体基板处理系统。更特定地,实现方式涉及具有用于同时处理两个基板的串接处理区域的等离子体腔室。背景技术半导体处理一般涉及沉积材料和将材料从基板移除(“蚀刻”)。具有串接处理区域的等离子体腔室在半导体处理中用来允许同时处理两个基板。等离子体腔室包括用于处理至少一个基板的第一腔室侧部和用于处理第二基板的第二腔室侧部。腔室侧部各自包括设置在处理区域中的可移动基板支撑件。每个基板支撑件包括在处理区域内的等离子体或其他处理期间支撑基板的基板支撑件表面。基板支撑件进一步包括...
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