技术编号:15519979
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术随着半导体技术的不断发展,集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。目前,由于在追求高器件密度、高性能和低成本中半导体工业已经进步到纳米技术工艺节点,半导体器件的制备受到各种物理极限的限制。对于更小纳米技术工艺节点,例如7nm及其以下纳米技术工艺节点,PMOS器件可以使用Ge沟道,而NMOS器件可以使用III-V族化合物半导体(例如InGaAs)作为沟道,以提高载流子迁移率。,正偏压温度不...
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