技术编号:15543941
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及一种存储器。背景技术随着半导体产业进入高性能与多功能的集成电路新时代,集成电路内半导体元件的密度会随之增加,从而使半导体元件尺寸之间的间距会随之缩小,进而会使半导体元件中的用于传导电信号的传导部之间的距离也相应的缩减,这将直接导致任意两相邻的传导部之间所产生的寄生电容增加。尤其是,随着半导体尺寸的不断缩减,相邻传导部之间所产生的寄生电容以及由寄生电容带来的干扰越来越明显,例如由于寄生电容的存在会导致由传导部构成的金属内连线的互连结构中电容耦合上升,从而增加电...
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