技术编号:15547407
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及晶体硅生长还原炉,具体而言,涉及一种用于晶体硅生长还原炉的组合硅芯、组合硅芯单元体以及还原炉。背景技术晶体硅是制备半导体和光伏电池的原材料。改良西门子法和Si H4法是国际上生产晶体硅的主流技术。还原炉内的反应气体在炽热的硅芯表面发生化学气相沉积反应生成晶体硅。生产实际所用的硅芯普遍为单根硅芯,其截面为圆形或正方形,其缺陷在于发生化学反应的硅芯表面的反应面积较小,发生化学反应的硅芯表面的反应面积有待提高。实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种组合硅芯,其能够增加发生沉积化学反应的...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。