技术编号：15550657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气体处理技术领域，特别涉及一种气体处理系统及处理方法。背景技术在晶圆蚀刻过程中常需要用到氧硫化碳(cos)气体，但氧硫化碳气体属于易燃易爆气体，当氧硫化碳的浓度达到11.9％～29％时有可能发生自燃或爆炸。因此，在晶圆蚀刻的晶圆真空反应室之后需要增加气体稀释系统稀释晶圆真空反应室中的氧硫化碳。现有的氧硫化碳稀释过程是在抽出氧硫化碳的排气管路的末端进行的，但是由于氧硫化碳气体在刚抽入排气管路中时浓度已经能够达到13.15％，处于氧硫化碳的爆炸浓度范围内，因此容易出现安全事故，造成设备和人...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。