技术编号:15562168
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种分离栅闪存的编程时序电路。本发明还涉及一种分离栅闪存的编程方法。背景技术如图1所示,是现有分离栅闪存的存储单元的结构图;现有分离栅闪存的存储单元包括:第一栅极结构、浮栅(Floating Gate,FG)107、源区102和漏区103。所述第一栅极结构由半导体衬底101表面的第一栅介质层104和多晶硅栅105组成。所述浮栅107和所述半导体衬底101表面之间间隔有第二栅介质层106。由位于所述源区102和所述漏区103之间的所述半导体衬底101组成沟道...
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