技术编号:15562176
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路测试领域,特别是涉及一种优选相变存储器写操作电流的系统及方法。背景技术相变存储器是一种新型的非易失性存储器,具有读写速度快、兼容CMOS工艺、高密度等特点。相变存储器的核心是以硫系化合物为基础的相变材料,相变材料在非晶态与晶态呈现出不同的阻值,并且存在较大的电阻差异,其中单元器件的阻值差异可以到2-3量级。相变存储器的基本工作原理是在相变器件单元两端施加不同的脉冲,使得相变材料在非晶态与晶态之间转化实现写、擦操作,同时通过欧姆定律原理量取其阻值实现读操作。相变存储器属于电流操作...
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