技术编号：15564818
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及VCSEL芯片领域，具体而言，涉及一种DBR结构芯片及其制备方法。背景技术目前VCSEL芯片由于外延需要做P-DBR和N-DBR所以导致其整体体电阻较高，从而芯片电压高，电流在DBR中消耗过多导致芯片阈值电流较高，影响芯片效率。发明内容本发明的目的，例如包括提供一种DBR结构芯片，其能够降低芯片的体电阻，从而降低芯片的电压及阈值电流，功率转换效率高。本发明的目的还包括提供一种DBR结构芯片的制备方法，该制备方法简单，操作容易，获得的DBR结构芯片的体电阻降低，从而降低芯片的电压及阈值电...
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