技术编号:15568908
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米复合材料领域,具体涉及一种花状中空二硫化钼/富氮碳复合材料及其制备方法。背景技术MoS2是一类典型的过渡金属硫化物半导体材料,具有类似于石墨的的六方晶系层状结构,在催化剂、锂电池、固体润滑剂、光电材料等方面有着巨大的应用前景。将MoS2纳米片自组装成球形“花”状,可构筑丰富的中孔及大孔结构,使其具有较大的比表面积和较多的活性位点,非常有利于小分子在其中的扩散与存储。然而,纯MoS2的导电性差、结构易坍塌,在实际应用中收到较大限制,将其与碳基材料进行复合是一种较好的改进方法。CN20...
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