技术编号：15570476
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于陶瓷技术领域，具体涉及一种氧化铟锡靶材的制备方法。背景技术ITO(氧化铟锡)薄膜可由ITO靶材经磁控溅射法制备得到，在工业生产中，大多采用磁控溅射法，将ITO靶材在玻璃上溅射成极薄的一层透明导电膜(厚度100nm左右)，对薄膜进行刻蚀，以制备平板显示器用的电极材料。要制备出高品质的ITO膜，须采用均匀性好且密度高的ITO靶。这是因为低密度靶内有许多孔洞，孔洞内的不确定元素在溅射过程中也进入到ITO膜，从而影响ITO膜导电性能。另外低密度ITO靶面在溅射过程中容易产生一些黑化的低价氧化物...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。