技术编号：15576042
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明的形态一般涉及一种静电吸盘。背景技术在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition)、溅镀、离子注入、灰化等的等离子处理燃烧室内，作为吸附保持半导体晶片、玻璃基板等处理对象物的手段而使用静电吸盘。静电吸盘如下，对内置的电极外加静电吸附用电力，通过静电力吸附硅片等基板。近几年，在包含晶体管等半导体元件的IC芯片中，要求小型化及处理速度的提高。与此相伴，当在晶片上形成半导体元件时，要求提高蚀刻等的加工精度。蚀刻的加工精度是指通过对晶片的加工是否能够得到具有与设计一致的宽...
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