技术编号:15576130
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料技术领域,具体涉及一种二硫化钼薄膜的制备方法。背景技术二硫化钼(MoS2)晶体厚度降低到单分子层后其电学性能由间接半导体转变为直接禁带半导体。单分子层MoS2是由三层原子构成,其中上下两层为硫原子组成的六角平面,中间夹层为金属钼单原子层,MoS2单分子层薄膜禁带宽度约1.8eV,在二维光电子器件、光催化等领域具有广阔的应用前景。二维MoS2制备方法有机械剥离法、溶液剥离法、水热法及化学气相沉积法(CVD)等。CVD法常用来制备大面积大尺寸MoS2单分子层薄膜,常用的制备工艺是低压、...
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