技术编号:15591720
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法。背景技术随着集成电路技术的持续发展,芯片上将集成更多器件,芯片也将采用更快的速度。在这些要求的推进下,器件的几何尺寸将不断缩小,在芯片的制造工艺中不断采用新材料、新技术和新的制造工艺。目前半导体器件的制备已经发展到纳米级别,同时常规器件的制备工艺逐渐成熟。常规上,CMOS器件制造技术中将PMOS和NMOS分开处理,例如,在PMOS器件的制造方法中采用压应力材料,而在NMOS器件中采用张应力材料,以向沟道区施加适当的应力,从而提高载...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。