技术编号：15591966
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于LED外延片制造领域，尤其涉及一种氮化物LED外延层结构及制造方法。背景技术当正向电压施加在半导体发光元件（LED）上的情况下，p型半导体层的空穴与n型半导体层的电子相结合，发射出与带隙能量相对应波长的光。氮化镓基半导体(AlxInyGa1-x-yN;0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)通过改变其外延层当中铝、铟和镓的组成比，发出不同波长的光，并作为这样的一种发光元件材料受到瞩目。氮化镓基外延层通过高温沉积过程生长获得，在制造过程如湿法蚀刻过程中，通过酸性或碱性的化学药品暴露出来。...
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