技术编号：15595092
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及图像传感器，并且具体地，涉及具有高动态范围的图像传感器。背景技术参照图1，该图示出了常规图像传感器像素10的电路图。像素10包括光电二极管12，该光电二极管具有耦合至第一电源电压节点(V衬底；即，衬底电压，例如，地电势)14的阳极以及耦合至电荷收集节点16的阴极。光电二极管12可以例如属于引脚式光电二极管类型。n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)18(被称为抗晕光晶体管)具有耦合至电荷收集节点16的源极端子以及耦合至第二电源电压节点(Vrt；即，像素参考电压)20的漏极端...
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