技术编号:15612928
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及红外探测技术领域,尤其涉及一种红外探测像素结构以及红外探测器。背景技术QD-TFT(Quantum Dots-Thin Film Transistor,量子点薄膜晶体管)是一种新型的高灵敏度量子点氧化物薄膜电晶体器件,该器件在光照后会发生图1所示的阈值电压Vth飘移,且最大飘移量可达4~8V。其中,光照强度不同,阈值电压的漂移程度则不同,根据这个特性即可感知不同的光照强度,从而实现成像。基于此,以该QD-TFT器件为基础便可开发出针对红外波段的成像电路。但是,受限于红外波段电磁波的加热...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。