技术编号:15612959
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及半导体光电领域,具体涉及一种发光二极管结构。背景技术近几年,发光二极管(light emitting diode, 简称LED)得到了广泛的应用,在各种显示系统、照明系统、汽车尾灯等领域起着越来越重要的作用。以AlGaInP材料作为发光层的LED具有较高的内量子效率。对于传统设计的LED来说,有很多因素限制它的外量子效率:内部的全反射、金属电极的阻挡、GaAs等半导体材料对光的吸收。这些LED生长在吸光衬底上,而最终有很大一部分光被衬底吸收。所以对于这种传统的LED结构而言,即使内...
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