技术编号:15614927
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于存储技术领域,涉及一种提高NAND Flash磨损寿命的方法、控制装置及存储系统,尤其涉及的是利用原始误码率和纠错后误码率来自动适应Flash磨损带来的不良影响,通过调节读电平阀值(反馈策略)和匹配数据的更新特质与Flash的Endurance磨损(前馈策略),来实现延长Flash寿命的目的。背景技术NAND Flash(闪存)是一种非易失性随机访问存储介质,基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计,通过浮栅来锁存电荷,电荷被储存在浮栅中,它们在无电源供应的情况下仍然可以保持。...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。