技术编号：15619097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请请求于2017年3月22日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请10-2017-0036192号的优先权，其全部内容通过引用结合于此。背景技术本发明构思的实施例涉及非易失性存储设备，并且更具体地，涉及包括用于编程和读取存储在存储器单元中的数据的页面缓冲器电路的非易失性存储设备。半导体存储设备是可以包括比如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)和/或磷化铟(InP)的半导体的存储设备。一些半导体存储设备可以被分类为易失性存储设备或非易失性存储设备。非易失性存储设备是当电源关闭时可以保存其存储...
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