技术编号:15619110
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请要求2017年3月20日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0034873的韩国专利申请的优先权,其全部内容通过引用合并于此,如同全文阐述。技术领域本发明总体而言涉及一种半导体器件,更具体而言,涉及一种能够增强操作裕度和降低功耗的半导体器件。背景技术基于器件电流的MOS晶体管的性能特性可以分为典型状态、慢状态和快状态。典型状态表示基于器件电流,而被包括在落入性能特征范围内的典型组中的晶体管,为了满足半导体器件性能要求,制造商通常都期望典型状态。慢状态表示与属于典型组的晶体管相比,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术无源代码,用于学习原理,如您想要源代码请勿下载。