技术编号:15619142
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请享有以日本专利申请2017-59583号(申请日:2017年3月24日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。技术领域本实施方式涉及一种存储设备及其控制方法。背景技术MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory,磁阻式随机存取存储器)是一种存储信息的存储单元使用了具有磁阻效应(Magnetoresistive effect)的磁性元件的存储设备。MRAM作为以高速动作、大容量、非易失性为特征的下一代存储设备备受关注。另...
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