技术编号：15619153
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本案关于一种存储器的输出驱动电路，特别是一种可高速存取的存储器的输出驱动电路。背景技术目前之双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM)DDR3、DDR3L、DDR4及LPDDR4的输入/输出(I/O)电压分别是1.5、1.35、1.2及1.1伏特，其中，DDR3与DDR3L的最高存取速度为2133Mbps，DDR4与LPDDR4的最高存取速度为3200Mbps。传统的DDR3使用耐高压的输入/输出，藉以相容高的输入/输出电压，但耐高压的输入/输出装置将导致速度变慢。随着DDR4的普及...
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