技术编号:15620070
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过形成在处理室内的等离子体对配置在真空容器内部的处理室内的半导体晶片等基板状的试样进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法,并涉及使用对具有不同的组成的多种处理用的气体进行切换并供给到处理室内而形成的等离子体对试样进行处理的等离子体处理装置以及等离子体处理方法。背景技术由于近年来的半导体元件的微小化,蚀刻的精度正在从nm量级向量级过渡。该量级下的蚀刻处理的控制是重要的课题。一般在蚀刻工序中为了提高蚀刻的控制性,需要通过缩短有助于连续放电时的蚀刻的步骤时间来实现控制性的提高。作为...
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