技术编号:15620305
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种对被棚架状地保持在纵型的反应容器内的多个基板进行成膜处理的技术。背景技术在半导体装置的制造工序中,在真空气氛中对作为基板的半导体晶圆(以下,记载为晶圆)进行成膜处理。作为进行该处理的成膜装置,存在以如下方式构成的情况:具备纵型的反应容器,从配置在晶圆的一端侧的气体喷射器朝向旋转的晶圆供给成膜气体,并且从配置在晶圆的另一端侧的排气口进行排气,其中,棚架状地保持有多个晶圆的基板保持器具被搬入纵型的反应容器并对反应容器的内部进行加热。在专利文献1中记载了这种结构的成膜装置。关于上述的气体...
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