技术编号：15620529
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。根据35U.S.C.§119(e)的规定，本文件(包括附图)要求申请日为2017年3月24日的美国临时申请No.62/476,642的优先权和申请日的权益，该临时申请的内容以引用的方式并入本文中。技术领域本公开涉及一种电子组件，该电子组件具有相变冷却式半导体器件或者其它产生热量的部件。背景技术在功率电子系统中，主要的产生热量的部件通常是功率半导体器件，例如硅绝缘栅双极型晶体管(IGBT)或者碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。功率电子系统的热设计需要适当地调节功率半导体...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。