技术编号:15620550
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请案享有以日本专利申请案2017-53588号(申请日:2017年3月17日)为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。技术领域本发明的实施方式涉及一种半导体装置及其制造方法。背景技术半导体存储器等半导体芯片有自高功能化或高集成化等观点考虑进行积层的情况。为了将所积层的多个半导体芯片间的元件电连接,而使用被称为TSV(Through-Silicon Via,硅穿孔)的贯通电极。TSV贯通衬底而将该衬底的元件与其他衬底的元件电连接。为了不对元件的特性造成影响...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。