技术编号:15620566
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路及半导体装置制造,尤其涉及用于片上电容器(on-chip capacitor)的结构以及形成片上电容器的方法。背景技术通过前端工艺(front-end-of-line;FEOL)制程在衬底上可制造装置结构,并可使用通过后端工艺(back-end-of-line;BEOL)制程所制造的互连结构电性耦接该FEOL装置结构。通过镶嵌制程可形成BEOL互连结构的金属化层级。在双镶嵌制程中,形成过孔开口及沟槽并用金属同时填充,以创建金属化层级。在单镶嵌制程中,分别形成过孔开口及沟槽并用金...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。