半导体器件的制作方法技术资料下载

技术编号:15620643

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本发明涉及一种能够作为双向开关使用的半导体器件。背景技术作为半导体器件,已知具有由MOSFET形成的第一半导体芯片、由MOSFET形成的第二半导体芯片、第一漏极端子、第一源极端子、第一栅极端子、第二漏极端子、第二源极端子和第二栅极端子的半导体器件(以下,称为现有的半导体器件)。第一漏极端子、第一源极端子和第一栅极端子分别与第一半导体芯片的漏极电极、源极电极和栅极电极电连接。第二漏极端子、第二源极端子和第二栅极端子分别与第二半导体芯片的漏极电极、源极电极和栅极电极电连接。发明内容发明所要解决的课题...
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