技术编号:15621122
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种相变存储器及其形成方法。背景技术随着信息技术的发展,存储信息量急剧增加。存储信息量的增加促进了相变存储器的飞速发展,同时也对相变存储器的读写效率提出了更高的要求。相变存储器(phase change memory),缩略表示为PCM,是利用特殊材料在晶态和非晶态之间相互转化时所表现出来的导电性差异来存储数据的存储装置。PCM的存储单元的基本结构包括相变层。相变层材料是一种极小的硫族合金,通过在电脉冲集中加热的情况下,它能够从有序的晶态快速转变为无序的非晶...
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