技术编号:15621126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体技术领域,特别涉及一种半导体器件、制造方法以及存储器。背景技术现有的存储器技术,如RRAM(Resistive Random Access Memory,阻变式存储器),大都基于现有的后段工艺,而基于前段工艺的RRAM均采用NOR(Negative-OR,或非)型结构。例如,基于CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)鳍式场效应晶体管的或非型阻变式存储器等。但是,这种NOR型的存储器使用热电子注入的写入方式,所以每一个栅极都需要一...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。