技术编号:15627134
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种制备氮化铝单晶的方法。背景技术氮化铝(AlN)是第三代宽禁带半导体材料之一,具有宽带隙、高熔点、高临界击穿场强、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异性质。同时AlN晶体作为取代蓝宝石和碳化硅用来外延生长Ⅲ-N材料的最佳衬底材料,与常见的蓝宝石和SiC相比,AlN材料与GaN的热失配更小,化学兼容性更高,热膨胀系数也相近。以AlN晶体为衬底生长GaN可大幅降低器件的缺陷密度,提高器件的性能。近年来,国外各研究机构已经分别制备出不同尺寸的氮化铝晶体,但国内各研究机构成果与国外相比仍有...
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