技术编号:15644278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及碳化硅功率模块封装技术领域,特别是涉及一种宽禁带半导体碳化硅功率模块高温封装结构。背景技术功率半导体器件广泛应用于计算机、网络通信、消费电子、工业控制、汽车电子、机车牵引、钢铁冶炼、大功率电源、电力系统等领域,除了保证这些设备的正常运行以外,功率器件还能起到有效的节能作用,在发展低碳经济、节能减排、控制气候变暖等方面不可或缺。传统的硅基功率器件受制于硅材料所固有的物理属性的限制,在高频高功率应用领域已经遇到了难以克服的困难。在这种情况下,基于碳化硅的功率器件脱颖而出,凭借碳化硅材料击穿...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。