技术编号:15644505
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。背景技术薄膜太阳能电池相比一般晶硅太阳能电池具有柔性好、发电量高,弱光性能和高温性能优异,以及轻量化等优点,已被广泛的应用。其中,CIS(铜铟锡)基薄膜太阳能电池的应用范围更广。目前现有的CIS基薄膜太阳能电池的典型制备方法为:首先在基层衬底上通过磁控溅射工艺制备一层均匀的Mo薄膜作为背电极层;再在背电极层上通过共蒸发法或者溅射硒化法等工艺制备一层均匀的CIS基吸收层;在CIS基吸收层之上再依次用化学水浴法或溅射法制备缓冲层、用磁...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。