技术编号：15656215
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于电路技术领域，具体地涉及一种用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路。背景技术近年来，随着半导体制造工艺水平的不断提高，非易失性存储器在集成度、存取速度、存储容量等方面得到极大的发展。目前，主流的闪存(Flash)技术在32nm工艺下遇到不可突破的瓶颈。因此，寻找一种新的存储机制来替代闪存技术成为存储器发展的必然趋势。在多种新型存储技术中，阻变存储器(RRAM)具有结构简单、读写速度快、制造成本低、功耗低、特征尺寸可缩小等特点，被认为是取代闪存技术的次世代存储器。但阻变存储器的写...
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