技术编号:15657749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体器件的技术领域,涉及一种功率IGBT器件及其制造方法。背景技术绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,简称IGBT),因其大电流导通压降低,广泛应用于各种大电流开关转换中,例如新能源车电控系统逆变器采用的主流功率器件就是IGBT。该应用对于IGBT的开关损耗特别高,对应的IGBT关键参数为导通压降Vce及Eoff,同时该应用对短路安全工作有很高的要求,对应IGBT的关键参数为短路承受时间Tsc。实际应用中,我们的目标是获得尽可能...
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