技术编号:15676587
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,特别是涉及一种减少背照式图像传感器暗电流的方法。背景技术在背照式图像传感器的制造过程中,在将器件晶圆(device wafer)与支撑晶圆(carrier wafer)键合之后,需要对所述器件晶圆背面进行减薄处理和BDTI(Backside Deep Trench Isolation,背面深沟槽隔离)制程。在进行上述处理过程后,在所述器件晶圆的Si表面上会有大量的悬挂键,而这些悬挂键会形成高密度的缺陷,缺陷会起到复合中心的作用,会复俘获电子和空穴在缺陷能级上进行复合,从...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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