技术编号：15676702
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子技术领域，涉及GaN电力电子器件制作背景技术近年来，氮化镓材料由于禁带宽度大、击穿电场强、饱和速度大而引起了广泛关注。AlGaN/GaN异质结强极化效应形成高浓度的二维电子气在高速、高功率及耐压电子器件领域扮演着重要的角色。GaN材料优越的性能使其在射频微波和电力电子领域有着广阔的应用前景。GaN器件主要以GaN异质结HEMT为主，在常规的AlGaN/GaN异质结中，由于自发极化效应和压电极化效应，在异质结界面存在高浓度的二维电子气，即常规的AlGaN/GaN HEMT器件表现为...
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