技术编号:15676727
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种带有双栅的变K槽 LDMOS (Later Double Metal Oxide Semiconductor)。背景技术带有介质埋层的SOI LDMOS器件因为它优异的隔离性以及对闩锁效应强大的免疫性,在功率IC方面具有很大的应用市场。为了实现平面LDMOS器件更好的击穿特性RESURF技术得到了广泛的应用。更好的器件性能使LDMOS器件在集成电路中占据更为重要的位置,LDMOS器件存在占地面积大的问题RESURF技术虽然对提高器件耐压具有不错的效果但对缩减...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。