技术编号：15678647
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于基于高掺杂半导体的宽带太赫兹吸收器，属于高掺杂半导体在太赫兹波段应用领域。背景技术太赫兹波在电磁波谱处于微波和红外光之间，波长通常为30μm ~3mm，太赫兹波包含了频率为0.1到10THz之间的电磁波。太赫兹辐射一直被认为是较为安全的辐射，尤其是相较于X射线而言。它可以穿透很多常用的介质材料如纸，皮革，塑料，木头等，同时又因为其相对较低的光子能量而不会对生物体造成明显的伤害，因此太赫兹波被广泛应用于半导体；医药科学；国防安全及信息技术等领域。但是在一些领域还是要避免太赫兹辐射的影响，...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。