技术编号：15687171
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种自支撑Ga2O3薄膜及其制备方法。背景技术Ga2O3的禁带宽度约为4.9eV，是一种新型的超宽禁带半导体材料。由于Ga2O3的禁带宽度正好落在日盲紫外波段(200-280nm)，不受外界太阳光的干扰，日盲紫外光信号探测灵敏度极高，工作在此波段的日盲紫外通信几乎零误差，在军事、航天和航空中具有广泛的应用。Ga2O3的击穿场强大(可达8MV/cm)，巴利加优值大，是场效应晶体管的理想材料。同时，Ga2O3也可用作透明导电电极、信息存储器、气敏传感器、LE...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。