技术编号:15688585
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子器件技术领域,更具体地,涉及基于多值忆阻器的STDP脉冲设计方法和多样化STDP的实现方法。背景技术忆阻器(Memristor)因其与神经突触类似的独特非线性电学性质,以及结构简单、集成度高等优势,在新型神经突触仿生的电子器件领域引起广泛关注。当利用忆阻器实现电脉冲活动时间依赖的突触可塑性(Spike-timing-dependent plasticity,STDP)功能时,会将施加于上电极和下电极的脉冲信号分别看作突触前刺激和突出后刺激,进而通过设计脉冲信号实现STDP。脉冲信...
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