技术编号:15698034
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造工艺领域,更具体地,涉及一种SOI基底及SOI基底的形成方法。背景技术SOI结构可以是绝缘衬底加顶层单晶硅层的双层,也可以是绝缘薄层为中间层的三明治结构。在进行器件制作时,仅使用顶层的薄硅层来作为器件制作层,即形成源、漏、沟道区等结构。衬底仅起支撑作用,三明治结构中埋层器件制作层与衬底在电学上隔离开,从而减少了衬底对器件性能的影响。现有技术中,通常采用结合了离子注入和键合的双重优势的Smartcut工艺来制备SOI基底。其步骤如图1所示,第一步是在室温的环境下使一硅片B 2...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。