技术编号：15735487
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及对用于制造半导体器件的基片进行显影的技术。背景技术半导体器件的制造工艺的光刻中，在作为基片的半导体晶片(以下记为晶片)的表面形成抗蚀剂膜后，进行该抗蚀剂膜的曝光。该曝光通过使沿着电路图案开口的掩模相对于晶片的表面相对移动并且隔着该掩模间歇地对晶片照射光而进行。曝光后向晶片供给显影液，形成抗蚀剂图案。但是，伴随抗蚀剂图案的尺寸即CD(Critical Dimension：临界尺寸)的精细化不断发展，要求提高晶片的面内的各部中的CD的均匀性。于是，具有以下方法，即：以具有与晶片的表面相对的...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。